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VNN1NV04TR-E	文件：546.08 Kbytes Page：33 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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VND1NV04-E	文件：1.8271 Mbytes Page：22 Pages	forcarbodyapplications Description TheL5958includes6linearvoltageregulatorsanda2Apowerswitch,workingdownto4.5Vbatterylevel.Allthevoltageregulatorscanbeswitchedoffthroughthethreeenablepins. Features ■L5958sixoutputs: –8.5V@200mA –5.0V@300mA –3.3V@250mA	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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VNN1NV04P-E	文件：416.49 Kbytes Page：28 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
VNN1NV04PTR-E	文件：416.49 Kbytes Page：28 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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VNS1NV04DP-E	文件：383.42 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET Description TheVNS1NV04DP-EisadeviceformedbytwomonolithicOMNIFETIIchipshousedinastandardSO-8package.TheOMNIFETIIaredesignedinSTMicroelectronicsVIPower™M0-3technology:theyareintendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50KHzapplications.Builtin	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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产品属性

产品编号：
VNN1NV04TR-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
OMNIFET II™, VIPower™
包装：
管件
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
36V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
1.7A
导通电阻（典型值）：
250 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
故障保护：
限流（固定），超温，过压
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
SOT-223
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
描述：
IC PWR MOSFET N-CHAN 1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多VNN1NV04TR-E供应商更新时间2024-5-1 14:08:00

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