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|---|---|---|---|---|
VNN1NV04TR-E | OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：546.08 Kbytes 页数：33 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
VNN1NV04TR-E | Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：管件 类别：集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器 描述：IC PWR MOSFET N-CHAN 1:1 SOT223 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | |
OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：538.37 Kbytes 页数：33 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description The VND1NV04, VNN1NV04, VNS1NV04 are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect 文件：392.63 Kbytes 页数：18 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS | ||
fully autoprotected Power MOSFET 文件：406.97 Kbytes 页数：33 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | STMICROELECTRONICS |
产品属性
- 产品编号：
VNN1NV04TR-E
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
- 系列：
OMNIFET II™, VIPower™
- 包装：
管件
- 开关类型：
通用
- 输出数：
1
- 比率 - 输入：
1：1
- 输出配置：
低端
- 输出类型：
N 通道
- 接口：
开/关
- 电压 - 负载：
36V（最大）
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
- 电流 - 输出（最大值）：
1.7A
- 导通电阻（典型值）：
250 毫欧（最大）
- 输入类型：
非反相
- 故障保护：
限流（固定），超温，过压
- 工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 供应商器件封装：
SOT-223
- 封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
- 描述：
IC PWR MOSFET N-CHAN 1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
原装现货 |
25252 |
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ST |
2021+ |
SOT223 |
6800 |
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ST/意法 |
2025+ |
SOT-223 |
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ST/意法 |
2025+ |
SOT-223 |
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STMicroelectronics |
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ST |
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SOT223 |
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STM |
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ST |
2017+ |
SOT-223 |
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原装正品,诚信经营 |
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原装STM |
19+ |
SOT-223 |
20000 |
询价 | |||
STMicroelectronics |
24+ |
SOT-223 |
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