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VNP10N07FI	文件：159.09 Kbytes Page：14 Pages	?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET DESCRIPTION The VNB10N07, VNK10N07FM, VNP10N07FI and VNV10N07 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp 文件：159.09 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNP10N07FI	文件：511.93 Kbytes Page：14 Pages	OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：511.93 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNP10N07FI	文件：399.78 Kbytes Page：14 Pages	FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：399.78 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNP10N07FI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：ISOWATT-220-3；包装：管件类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRVR N-CH 1:1 ISOWATT220	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNP10N07FI-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：ISOWATT-220-3；包装：管件类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRVR N-CH 1:1 ISOWATT220	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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