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VNQ600P-E	文件：220.44 Kbytes Page：20 Pages	QUADCHANNELHIGHSIDEDRIVER DESCRIPTION TheVNQ600P-EisaquadHSDformedbyassemblingtwoVND600-EchipsinthesameSO-28package.TheVND600-Eisamonolithicdevicedesignedin\|STMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology. GeneralFeatures ■DCSHORTCIRCUITCURRENT:22A ■CMOSCOMPATIBLEINPUTS ■PROPORTIONALLOAD	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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VS-SD600NR	文件：194.85 Kbytes Page：8 Pages	StandardRecoveryDiodes,(StudVersion),600A FEATURES •Widecurrentrange •Highvoltageratingsupto3200V •Highsurgecurrentcapabilities •Studcathodeandstudanodeversion •StandardJEDEC®types •Compressionbondedencapsulations •Designedandqualifiedforindustriallevel •Materialcategorization:fordefinitionsof	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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VS-VSKD600	文件：258.75 Kbytes Page：8 Pages	StandardDiodes(SuperMAGN-A-PAKPowerModules),600A FEATURES •Highcurrentcapability •Highsurgecapability •Highvoltageratingsupto2000V •3000VRMSisolatingvoltagewithnon-toxic substrate •Industrialstandardpackage •ULapprovedfileE78996 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
VNQ600ATR-E
功能描述：
功率驱动器IC Quad Channel Hi-Side
RoHS：
否
制造商：
Micrel
产品：
MOSFET Gate Drivers
类型：
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
电源电压-最大：
30 V
电源电压-最小：
2.75 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOIC-8
封装：
Tube

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更多VNQ600ATR-E供应商更新时间2025-6-13 15:21:00

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