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VBE165R02S

N-Channel 650V (D -S) Super Junction Power MOSFET

FEATURES • Isolated Package • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm • Dynamic dV/dt Rating • Low Thermal Resistance • Lead (Pb)-free Available

文件:1.12135 Mbytes 页数:12 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VBFB165R02

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

文件:779.12 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VBFB165R02S

N-Channel 650V (D -S) Super Junction Power MOSFET

FEATURES • Isolated Package • High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz) • Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm • Dynamic dV/dt Rating • Low Thermal Resistance • Lead (Pb)-free Available

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VBSEMI

微碧半导体

VBM165R02

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

文件:761.61 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

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更多VBE165R02S供应商 更新时间2025-12-11 15:01:00