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VBE165R04	文件：787.32 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 文件：787.32 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE165R04	文件：740.69 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET 文件：740.69 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE165R04_V01	文件：787.32 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 文件：787.32 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBFB165R04	文件：749.57 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET 文件：749.57 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBL165R04	文件：780.74 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：780.74 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBM165R04	文件：749.81 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET 文件：749.81 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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更多VBE165R04供应商更新时间2025-12-23 15:01:00