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VBE16R04_V01	文件：862.8 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET FEATURES • Ultra Low Gate Charge • Reduced Gate Drive Requirement • Enhanced 30 V, VGS Rating • Reduced Ciss, Coss, Crss • Extremely High Frequency Operation • Repetitive Avalanche Rated • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：862.8 Kbytes 页数：11 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBPW34FASR	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY/威世 2-SMD	VISHAY/威世上传：深圳市华芯伟电子科技有限公司	VISHAY/威世

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更多VBE16R04_V01供应商更新时间2025-10-8 9:31:00