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VBE16R04_V01

Power MOSFET

FEATURES •UltraLowGateCharge •ReducedGateDriveRequirement •Enhanced30V,VGSRating •ReducedCiss,Coss,Crss •ExtremelyHighFrequencyOperation •RepetitiveAvalancheRated •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

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更多VBE16R04_V01供应商 更新时间2025-5-20 9:31:00