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VBE18R02S

N-Channel 800V(D-S) Super Junction Power MOSFET

FEATURES • Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg • Low input capacitance (Ciss) • Reduced switching and conduction losses • Ultra low gate charge (Qg) • Avalanche energy rated (UIS) APPLICATIONS • Server and telecom power supplies • Switch mode power supplies (SMPS) • Power factor correction

文件:591.52 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VBE18R02S

MOSFET

Vbsemi

微碧半导体

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更多VBE18R02S供应商 更新时间2025-10-12 9:30:00