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VBE165R04_V01	文件：787.32 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 文件：787.32 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBM165R04_V01	文件：763.66 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 650 V (D-S) MOSFET FEATURES • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC 文件：763.66 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBPW34FASR	文件：0 bytes Page：0 Pages	VISHAY/威世 2-SMD	VISHAY/威世上传：深圳市华芯伟电子科技有限公司	VISHAY/威世

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更多VBE165R04_V01供应商更新时间2025-10-12 9:30:00