Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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威世威世科技公司

Trench MOS Schottky technology

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Diode Schottky 100V 40A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB

NJS

Dual High Voltage Trench MOS barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

Vishay

威世

Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A

分立 ·Trench MOS Schottky technology\n·Low forward voltage drop, low power losses\n·High efficiency operation;

Vishay

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包装：盒 类别：测试与计量 设备 - 专用 描述：PEN VIBRATION METER

FLIR Extech

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO263

Vishay General Semiconductor - Diodes Division