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VB40	文件：102.9 Kbytes Page：1 Pages	These rectifiers offer high voltage ranges in minimum-sized 文件：102.9 Kbytes 页数：1 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
VB40100C	文件：314.61 Kbytes Page：2 Pages	Schotty Barrier Diode FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter 文件：314.61 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
VB40100C	文件：102.49 Kbytes Page：4 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C • Material categorization: for definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?9 文件：102.49 Kbytes 页数：4 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VB40100C-E3	文件：1.12964 Mbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Low thermal resistance • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：1.12964 Mbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VB40100C-E3	文件：314.71 Kbytes Page：2 Pages	Schotty Barrier Diode FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter 文件：314.71 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
VB40100G-E3	文件：315.03 Kbytes Page：2 Pages	Schotty Barrier Diode FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter 文件：315.03 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
VB40100G-E3	文件：217.27 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Low thermal resistance • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 文件：217.27 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VB40120C	文件：314.92 Kbytes Page：2 Pages	Schotty Barrier Diode FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter 文件：314.92 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
VB40150C	文件：315.68 Kbytes Page：2 Pages	Schotty Barrier Diode FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter 文件：315.68 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
VB40150C-E3	文件：315.79 Kbytes Page：2 Pages	Schotty Barrier Diode FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter 文件：315.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Peak Reverse Repetitive Voltage：
100V
Peak Reverse Current：
1000uA
Peak Non-Repetitive Surge Current：
250A
Peak Forward Voltage：
0.73@20AV
Operating Junction Temperature：
-40 to 150°C
Minimum Operating Temperature：
-40°C
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Continuous Forward Current：
40A
Configuration：
Dual Common Cathode

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深圳市联世界科技有限公司	VB40100G-E3/8W	VISHAY	24+/25+	D2-PAK(TO-263)	100	原装正品现货库存价优	询价
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深圳市一线半导体有限公司	VB409SP	ST	24+	SOP-10	5000		询价
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更多VB40供应商更新时间2025-11-25 18:48:00

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