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VB40100G-E3SLASH8W	文件：163.71 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：163.71 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VB40120C	文件：148.48 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：148.48 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VB40120C	文件：158.26 Kbytes Page：5 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：158.26 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VB40120C	文件：167.93 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 文件：167.93 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VB40120C-E3/4W	文件：149.75 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：149.75 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
VB40120C-E3/4W	文件：167.93 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A 文件：167.93 Kbytes 页数：5 Pages	VishayVishay Siliconix 威世威世科技公司	Vishay
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技术参数

Peak Reverse Repetitive Voltage：
100V
Peak Reverse Current：
1000uA
Peak Non-Repetitive Surge Current：
250A
Peak Forward Voltage：
0.73@20AV
Operating Junction Temperature：
-40 to 150°C
Minimum Operating Temperature：
-40°C
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Continuous Forward Current：
40A
Configuration：
Dual Common Cathode

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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