Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Low thermal resistance • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106

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Schotty Barrier Diode

FEATURES · Low Forward Voltage Drop, Low Power losses · High Efficiency Operation · SMD APPLICATIONS · Switching Power Supply (SPS) · High Frequency Converter · DC/DC Converter

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ISC

无锡固电

Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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Dual High Voltage Trench MOS barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A

Trench MOS Schottky technology\nLow forward voltage drop, low power losses\nHigh efficiency operation;

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A

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Dual High-Voltage Trench MOS barrier Schottky Rectifier

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A

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