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VB40100C-M3/ VB40100CHM3中文资料Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.38 V at IF = 5 A数据手册Vishay规格书
VB40100C-M3/ VB40100CHM3规格书详情
描述 Description
分立
特性 Features
·Trench MOS Schottky technology
·Low forward voltage drop, low power losses
·High efficiency operation
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY |
2018+ |
26976 |
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Vishay Semiconductor Diodes Di |
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TO263AB |
9000 |
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Vishay Semiconductor Diodes Di |
23+ |
TO263AB |
8000 |
只做原装现货 |
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VISHAY/威世 |
2447 |
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VISHAY |
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VISHAY |
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TO-263 |
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VISHAY |
00+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
100 |
15年光格 只做原装正品 |
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VISHAY/威世 |
23+ |
TO-263-3 |
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VISHAY |
TO-263 |
100 |
原装现货 |
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24+ |
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