Trench MOS Schottky technology

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威世科技

Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 阵列 描述：40A 120V TO-263 TRENCH SKY RECT

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Trench MOS Schottky technology

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Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Solder bath temperature 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106 • Material categorization: For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TYPICAL APPLICATION

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Dual High Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

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