V1中文资料下载供应代理固锝电子第19页-114ic电子网

首页 >V1>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
V10P10-M3	文件：1.5364 Mbytes Page：3 Pages	THINKI 10 Ampere,100 Volt Trench Process Low Vf Schottky Barrier Rectifier Features Low forward voltage drop ThinkiSemi matured trench barrier schottky High current capability High surge current capability Low reverse leakage current Application Inverter/Amplifier Photovoltaic Solar Cell Protection/SMPS Battery Reverse Protection Circuit/Charger 文件：1.5364 Mbytes 页数：3 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
V10P10-M3/86A	文件：111.06 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.453 V at IF = 5 A FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward volatge drop, low power losses • 文件：111.06 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10P10-M3/87A	文件：111.06 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.453 V at IF = 5 A FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward volatge drop, low power losses • 文件：111.06 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10P10-M386A	文件：111.06 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.453 V at IF = 5 A FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward volatge drop, low power losses • 文件：111.06 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10P10-M387A	文件：111.06 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.453 V at IF = 5 A FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward volatge drop, low power losses • 文件：111.06 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10P10-M3SLASH86A	文件：111.06 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.453 V at IF = 5 A FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward volatge drop, low power losses • 文件：111.06 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10P10-M3SLASH87A	文件：111.06 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.453 V at IF = 5 A FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward volatge drop, low power losses • 文件：111.06 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10P11P	文件：778.6 Kbytes Page：2 Pages	Superior Peak Surge Current Ratings in Small Disc Sizes Description The Littelfuse LV UltraMOV™ Series of low voltage, high surge current, radial leaded varistors provides an ideal circuit protection solution for lower DC voltage applications by offering higher surge ratings than ever before available in such small discs. Features • Breakthrough in 文件：778.6 Kbytes 页数：2 Pages	LITTELFUSE 力特	LITTELFUSE
V10P12	文件：103.64 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - 文件：103.64 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10P12	文件：91.72 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified 文件：91.72 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

<<<14 15 16 17 181920 21 22 23 24 >>>

晶体管资料

型号：
V10-15A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（SW）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
10V
最大电流允许值：
0.03A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
3AX54C,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
β=20
图片代号：
D-161
vtest：
10
htest：
999900
atest：
0.03
wtest：
0.2

技术参数

线规 - AWG：
16~22
线规 - mm²：
0.25~1.65

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市艾宇欣科技有限公司	V1	Martel	1931+	N/A	567	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	V1		24+	N/A	57000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	V1	Martel Electronics	2026+	原厂封装	56000	只做原厂原装正品现货正品授权货源可追溯	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	V2	VISHAY/威世	25+	SOT23	15000	全新原装现货,价格优势	询价
深圳市科雨电子有限公司	V2	KEMET	25+	电容器	2926	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	V2	KEMET	25+	N/A	20948	样件支持,可原厂排单订货!	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	V2	KEMET	25+	N/A	21000	正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	V3	ALLWINNER/全志	24+	TFBGA-259	5000	ALLWINNE原厂支持只做自己现货	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	V3	ALLWINN	2447	BGA	100500	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	V3	ALLWINNER/全志	22+	BGA	18000	原装正品	询价

更多V1供应商更新时间2026-1-27 10:19:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2026 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号