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V10DM150C_V01	文件：111.24 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: - 文件：111.24 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10DM153CHM3SLASHI	文件：120.86 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 2.5 A • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: - Automotive 文件：120.86 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10DM153C-M3SLASHI	文件：120.86 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.56 V at IF = 2.5 A • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: - Automotive 文件：120.86 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10DM45C	文件：111.44 Kbytes Page：5 Pages	Dual Low-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: - 文件：111.44 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10DM45C_V01	文件：111.44 Kbytes Page：5 Pages	Dual Low-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: - 文件：111.44 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10DM60C	文件：111.28 Kbytes Page：5 Pages	Dual Low-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: - 文件：111.28 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10DM60C_V01	文件：111.28 Kbytes Page：5 Pages	Dual Low-Voltage TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology • Very low profile - typical height of 1.7 mm • Ideal for automated placement • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available: - 文件：111.28 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10E11P	文件：778.6 Kbytes Page：2 Pages	Superior Peak Surge Current Ratings in Small Disc Sizes Description The Littelfuse LV UltraMOV™ Series of low voltage, high surge current, radial leaded varistors provides an ideal circuit protection solution for lower DC voltage applications by offering higher surge ratings than ever before available in such small discs. Features • Breakthrough in 文件：778.6 Kbytes 页数：2 Pages	LITTELFUSE 力特	LITTELFUSE
V10-H14X	文件：16.32 Kbytes Page：2 Pages	Surge Arrester 2-Electrode-Arrester Surge Arrester 2-Electrode-Arrester 文件：16.32 Kbytes 页数：2 Pages	EPCOS 爱普科斯	EPCOS
V10-H22X	文件：83.1 Kbytes Page：2 Pages	Surge Arrester 2-Electrode-Arrester Surge Arrester 2-Electrode-Arrester 文件：83.1 Kbytes 页数：2 Pages	EPCOS 爱普科斯	EPCOS

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晶体管资料

型号：
V10-15A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（SW）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
10V
最大电流允许值：
0.03A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
3AX54C,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
β=20
图片代号：
D-161
vtest：
10
htest：
999900
atest：
0.03
wtest：
0.2

技术参数

线规 - AWG：
16~22
线规 - mm²：
0.25~1.65

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