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V10K60C-M3SLASHH	文件：135.25 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.35 V at IF = 2.5 A •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode:baseP/NHM3	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V10K60C-M3SLASHI	文件：135.25 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.35 V at IF = 2.5 A •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode:baseP/NHM3	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V10K60DU	文件：137.1 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode:baseP/NHM3 •Materialcategorization:fordefinition	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V10K60DU_V01	文件：137.1 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode:baseP/NHM3 •Materialcategorization:fordefinition	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V10KL45DU	文件：138.25 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode:baseP/NHM3 •Materialcategorization:fordefinition	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V10KL45DU_V01	文件：138.25 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode:baseP/NHM3 •Materialcategorization:fordefinition	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V10KM120DU	文件：136.37 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode:baseP/NHM3 •Materialcategorization:fordefinitions	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V10KM120DU_V01	文件：136.37 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode:baseP/NHM3 •Materialcategorization:fordefinitions	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V10KM45DU	文件：136.9 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode:baseP/NHM3 •Materialcategorization:fordefinition	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V10KM45DU_V01	文件：136.9 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode:baseP/NHM3 •Materialcategorization:fordefinition	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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晶体管资料

型号：
V10-15A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（SW）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
10V
最大电流允许值：
0.03A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
3AX54C,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
β=20
图片代号：
D-161
vtest：
10
htest：
999900
atest：
0.03
wtest：
0.2

详细参数

型号：
V1
制造商：
Lascar Electronics
功能描述：
METER,LCD,200mV,3.5 DIGITAL,VOLTMETER,0.25 INCH DIGIT HEIGH

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多V1供应商更新时间2025-5-22 10:19:00

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