V10D120C-M3SLASHI中文资料威世科技数据手册PDF规格书

厂商型号	V10D120C-M3SLASHI
功能描述	Dual High-Voltage TMBS® (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier Ultra Low VF = 0.53 V at IF = 2.5 A
文件大小	127.04 Kbytes
页面数量	5 页
生产厂商	Vishay Siliconix
企业简称	VISHAY【威世科技】
中文名称	威世科技半导体官网
原厂标识
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更新时间	2025-6-24 22:59:00
人工找货	V10D120C-M3SLASHI价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

• Trench MOS Schottky technology

• Very low profile - typical height of 1.7 mm

• Ideal for automated placement

• Low forward voltage drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020,

LF maximum peak of 260 °C

• AEC-Q101 qualified available:

- Automotive ordering code: base P/NHM3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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