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V10P10-E3/87A	文件：111.06 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.453 V at IF = 5 A FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward volatge drop, low power losses • 文件：111.06 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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V10P10HE3	文件：111.06 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.453 V at IF = 5 A FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward volatge drop, low power losses • 文件：111.06 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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晶体管资料

型号：
V10-15A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（SW）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
10V
最大电流允许值：
0.03A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
3AX54C,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
β=20
图片代号：
D-161
vtest：
10
htest：
999900
atest：
0.03
wtest：
0.2

技术参数

线规 - AWG：
16~22
线规 - mm²：
0.25~1.65

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更多V1供应商更新时间2026-1-27 10:19:00

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