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V10P12_V01	文件：103.64 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - 文件：103.64 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10P12HM3-86A	文件：91.72 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified 文件：91.72 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10P12HM3-87A	文件：91.72 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified 文件：91.72 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10P12-M3-86A	文件：91.72 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified 文件：91.72 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10P12-M3-87A	文件：91.72 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified 文件：91.72 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10P15	文件：101.62 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - 文件：101.62 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10P15_V01	文件：101.62 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • AEC-Q101 qualified available - 文件：101.62 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V100	文件：101.17 Kbytes Page：2 Pages	clamp for disc devices 文件：101.17 Kbytes 页数：2 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
V100	文件：148.75 Kbytes Page：2 Pages	Power Vector Modular Amplifiers 文件：148.75 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
V1000LA160B	文件：222.81 Kbytes Page：11 Pages	Line Voltage Operation, Radial Lead 文件：222.81 Kbytes 页数：11 Pages	LITTELFUSE 力特	LITTELFUSE

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晶体管资料

型号：
V10-15A
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Ge-PNP
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（SW）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
10V
最大电流允许值：
0.03A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
3AX54C,
最大耗散功率：
0.2W
放大倍数：
β=20
图片代号：
D-161
vtest：
10
htest：
999900
atest：
0.03
wtest：
0.2

技术参数

线规 - AWG：
16~22
线规 - mm²：
0.25~1.65

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多V1供应商更新时间2026-1-27 10:19:00

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