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V10P10HE386A	文件：111.06 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.453VatIF=5A FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvolatgedrop,lowpowerlosses •	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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V10P10HE386A

文件：111.06 Kbytes

Page：5 Pages

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.453VatIF=5A FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvolatgedrop,lowpowerlosses •

VishayVishay Siliconix

威世科技

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更多V10P10HE386A供应商更新时间2024-5-1 15:14:00

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