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V10P10-M3/86A	文件：111.06 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.453VatIF=5A FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvolatgedrop,lowpowerlosses •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
V10P10-M3/86A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-277，3-PowerDFN；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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V10P10-M3/86A

文件：111.06 Kbytes

Page：5 Pages

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.453VatIF=5A FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvolatgedrop,lowpowerlosses •

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

Vishay

V10P10-M3/86A

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：TO-277，3-PowerDFN；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

产品属性

产品编号：
V10P10-M3/86A
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
eSMP®, TMBS®
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
10A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-277，3-PowerDFN
供应商器件封装：
TO-277A（SMPC）
工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A

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更多V10P10-M3/86A供应商更新时间2025-7-21 18:34:00

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