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V10P10-M3/86A分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

V10P10-M3/86A

参数属性

V10P10-M3/86A 封装/外壳为TO-277,3-PowerDFN;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A

功能描述

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

封装外壳

TO-277,3-PowerDFN

文件大小

111.06 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

Vishay Vishay Siliconix

中文名称

威世 威世科技公司

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更新时间

2025-12-7 23:00:00

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V10P10-M3/86A规格书详情

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

Ultra Low VF = 0.453 V at IF = 5 A

FEATURES

• Very low profile - typical height of 1.1 mm

• Ideal for automated placement

• Trench MOS Schottky technology

• Low forward volatge drop, low power losses

• High efficiency operation

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

•Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

TYPICAL APPLICATIONS

For use in low voltage high frequency inverters, freewheeling, DC/DC converters, and polarity protection

applications.

产品属性

  • 产品编号:

    V10P10-M3/86A

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    eSMP®, TMBS®

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    10A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-277,3-PowerDFN

  • 供应商器件封装:

    TO-277A(SMPC)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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