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UPA801T_09

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件:462.6 Kbytes 页数:7 Pages

CEL

UPA801T_V1

NONLINEAR MODEL

文件:19.16 Kbytes 页数:2 Pages

CEL

UPA801T-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY

文件:177.04 Kbytes 页数:8 Pages

CEL

UPA802T

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件:236.48 Kbytes 页数:10 Pages

CEL

UPA802T

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件:606.19 Kbytes 页数:9 Pages

CEL

UPA802T_09

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件:606.19 Kbytes 页数:9 Pages

CEL

UPA802T_98

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件:236.48 Kbytes 页数:10 Pages

CEL

UPA802T_V1

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件:606.19 Kbytes 页数:9 Pages

CEL

UPA802T-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件:606.19 Kbytes 页数:9 Pages

CEL

UPA802T-T1-A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

文件:236.48 Kbytes 页数:10 Pages

CEL

产品属性

  • 产品编号:

    UPA800T-T1

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    8GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    6-SO

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ 6SO

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
NEC
24+
SOT-6
26200
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NEC
24+
SOT-363/SOT-323-6
57200
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SOT-363
6200
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SOT363
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SOT-363
20000
8600
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