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UPA802T	文件：53.04 Kbytes Page：6 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD The µPA802T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band. FEATURES • Low Noise NF = 1.4 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA • High Gain \|S21e\|2 = 12 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA • A Mini Mold Package Adopted 文件：53.04 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA802T	文件：216.28 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR The µPA802T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band. FEATURES • Low Noise NF = 1.4 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA • High Gain \|S21e\|2 = 12 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA • A Mini Mold Package Adopted 文件：216.28 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA802T	文件：606.19 Kbytes Page：9 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：606.19 Kbytes 页数：9 Pages	CEL	CEL
UPA802T	文件：236.48 Kbytes Page：10 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：236.48 Kbytes 页数：10 Pages	CEL	CEL
UPA802T-T1	文件：53.04 Kbytes Page：6 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD The µPA802T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band. FEATURES • Low Noise NF = 1.4 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA • High Gain \|S21e\|2 = 12 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA • A Mini Mold Package Adopted 文件：53.04 Kbytes 页数：6 Pages	NEC 瑞萨	NEC
UPA802T-T1	文件：216.28 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR The µPA802T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band. FEATURES • Low Noise NF = 1.4 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA • High Gain \|S21e\|2 = 12 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA • A Mini Mold Package Adopted 文件：216.28 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA802T_09	文件：606.19 Kbytes Page：9 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：606.19 Kbytes 页数：9 Pages	CEL	CEL
UPA802T_98	文件：236.48 Kbytes Page：10 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：236.48 Kbytes 页数：10 Pages	CEL	CEL
UPA802T_V1	文件：606.19 Kbytes Page：9 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：606.19 Kbytes 页数：9 Pages	CEL	CEL
UPA802T-T1-A	文件：606.19 Kbytes Page：9 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件：606.19 Kbytes 页数：9 Pages	CEL	CEL

详细参数

型号：
UPA802T
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

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