UPA802T分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
UPA802T |
| 参数属性 | UPA802T 封装/外壳为6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363 |
| 功能描述 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR |
| 封装外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 文件大小 |
236.48 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | CEL |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-29 13:30:00 |
| 人工找货 | UPA802T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
UPA802T规格书详情
UPA802T属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由California Eastern Labs制造生产的UPA802T晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号：
UPA802T-T1-A
- 制造商：
CEL
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
2 NPN（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
10V
- 频率 - 跃迁：
7GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.4dB @ 1GHz
- 增益：
12dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 7mA，3V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
65mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：
SOT-363
- 描述：
RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
24+ |
SC70-6 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
RENESAS |
20+ |
SOT363 |
12000 |
进口原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
RENESAS |
2511 |
SOT363 |
12000 |
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询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT-363 |
8000 |
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NEC |
23+ |
SOT-363 |
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询价 | ||
24+ |
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询价 | |||
NEC |
23+ |
SC70-6 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
NEC |
2447 |
R34363 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SC70-6 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NEC |
2450+ |
SOT363 |
6540 |
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询价 |
