UPA801T分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
UPA801T |
参数属性 | UPA801T 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363 |
功能描述 | NPN SILICON HIGH FREQUENCY |
封装外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
文件大小 |
177.04 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | CEL |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-9 10:54:00 |
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UPA801T规格书详情
UPA801T属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由California Eastern Labs制造生产的UPA801T晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
更多- 产品编号:
UPA801T-T1-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
2 NPN(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
12V
- 频率 - 跃迁:
4.5GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.2dB @ 1GHz
- 增益:
9dB
- 功率 - 最大值:
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
70 @ 7mA,3V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
100mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:
SOT-363
- 描述:
RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
2511 |
SOT23-6 |
543000 |
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SOT23-6 |
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NEC |
24+ |
SOT-363 |
5000 |
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