UPA800T分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
UPA800T |
参数属性 | UPA800T 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ 6SO |
功能描述 | HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
封装外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
文件大小 |
211.33 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | RENESAS |
中文名称 | 瑞萨 |
网址 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-6 9:51:00 |
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UPA800T规格书详情
HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) MINI MOLD
The µPA800T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band.
FEATURES
• Low Noise
NF = 1.9 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA
• High Gain
|S21e|2 = 6.5 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA
• A Mini Mold Package Adopted
• Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4228)
产品属性
- 产品编号:
UPA800T-T1
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
2 NPN(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
10V
- 频率 - 跃迁:
8GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz
- 功率 - 最大值:
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 5mA,3V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
35mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:
6-SO
- 描述:
RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ 6SO
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
23+ |
SOT-363 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
NEC |
22+ |
SOT-363 |
30000 |
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询价 | ||
NEC |
25+ |
SC70-6 |
860000 |
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询价 | ||
NEC |
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SC70-6 |
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NEC |
23+ |
SOT323-6 |
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MINI |
24+ |
SMD其他电子元 |
17 |
一级代理全新原装现货 |
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NEC |
22+ |
SO6 |
8200 |
全新进口原装现货 |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SC70-6 |
80000 |
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询价 | ||
17PB |
SC70-6 |
1 |
普通 |
询价 | |||
NEC |
23+24 |
SOT363 |
28950 |
专营原装正品SMD二三极管,电源IC |
询价 |