UPA679TB中文资料瑞萨数据手册PDF规格书
UPA679TB规格书详情
DESCRIPTION
The µ PA679TB is a switching device, which can be driven directly by a 2.5 V power source.
The µ PA679TB features a low on-state resistance and excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on.
FEATURES
• 2.5 V drive available
• Low on-state resistance
N-ch RDS(on)1 = 0.57 Ω MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 0.30 A)
RDS(on)3 = 0.88 Ω MAX. (VGS = 2.5 V, ID = 0.15 A)
P-ch RDS(on)1 = 1.45 Ω MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −0.20 A)
RDS(on)3 = 2.98 Ω MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −0.15 A)
• Two MOS FET circuits in same size package as SC-70
产品属性
- 型号：
UPA679TB
- 功能描述：
MOSFET N/P-CH 20V SC-70
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装：
1
- 系列：
- FET
- 型：
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
- 功率 -
- 最大：
1.4W
- 安装类型：
表面贴装
- 封装/外壳：
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装：
PowerPAK? SO-8
- 包装：
Digi-Reel®
- 产品目录页面：
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
SI7948DP-T1-GE3DKR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
13207 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
NEC |
2016+ |
SOT363 |
3000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
NEC |
24+ |
SOT363 |
8000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
SOT-363SO |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
NEC |
0452+ |
SOT363 |
3000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT-363 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
Renesas Electronics America In |
25+ |
6-TSSOP SC-88 SOT-363 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
NEC |
21+ |
2016PB |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
SOT363 |
28347 |
只做全新原装进口现货 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
DIP |
8293 |
询价 |
