首页>UPA800T>规格书详情

UPA800T分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

PDF无图
厂商型号

UPA800T

参数属性

UPA800T 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ 6SO

功能描述

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ 6SO

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

192.73 Kbytes

页面数量

9

生产厂商

CEL

网址

网址

数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二

更新时间

2025-10-4 16:10:00

人工找货

UPA800T价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

UPA800T规格书详情

UPA800T属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由California Eastern Labs制造生产的UPA800T晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    UPA800T-T1

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    8GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    6-SO

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ 6SO

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
22+
SO6
8200
全新进口原装现货
询价
NEC
24+
SOT-363/SOT-323-6
7952
新进库存/原装
询价
NEC
17+
SOT-363
6200
100%原装正品现货
询价
NEC
25+
SC70-6
860000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
REALTEK
23+
QFP48
5000
原装正品,假一罚十
询价
NEC
24+
SC70-6
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
询价
NEC
19+
SC70-6
20000
5000
询价
NEC
1708+
SO6
12500
只做原装进口,假一罚十
询价
NEC
23+
SOT-363
6000
原装正品,支持实单
询价
California Eastern Labs
2022+
原厂原包装
8600
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价