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UPA801T	文件：217.64 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR TheµPA801Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •LowNoiseNF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •HighGain\|S21e\|2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •AMiniMoldPackageAdopted	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA801T	文件：76.04 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD DESCRIPTION TheµPA801TChasbuilt-inlow-voltagetwotransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •Lownoise:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain:\|S21e\|2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Flat-lead	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA801T	文件：177.04 Kbytes Page：8 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA801T	文件：197.86 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN RF Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
UPA801T	文件：19.16 Kbytes Page：2 Pages	NONLINEAR MODEL	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA801TC	文件：76.04 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD DESCRIPTION TheµPA801TChasbuilt-inlow-voltagetwotransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •Lownoise:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain:\|S21e\|2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Flat-lead	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA801TC-T1	文件：76.04 Kbytes Page：12 Pages	NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD DESCRIPTION TheµPA801TChasbuilt-inlow-voltagetwotransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •Lownoise:NF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Highgain:\|S21e\|2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •Flat-lead	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA801TF	文件：15.45 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR DESCRIPTION TheUPA801TFcontainstwoNE856NPNhighfrequencysiliconbipolarchips.NECsnewlowprofileTFpackageisidealforallportablewirelessapplicatonswherereducingcomponentheightisaprimeconsideration.Eachtransistorchipisindependentlymountedandeasilyconfiguredfortw	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA801T-T1	文件：217.64 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR TheµPA801Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •LowNoiseNF=1.2dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •HighGain\|S21e\|2=9.0dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •AMiniMoldPackageAdopted	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA801T_09	文件：462.6 Kbytes Page：7 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL

详细参数

型号：
UPA801T
功能描述：
射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
RoHS：
否
制造商：
NXP Semiconductors
配置：
Single
晶体管极性：
NPN
最大工作频率：
7000 MHz 集电极—发射极最大电压
VCEO：
15 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
2 V
集电极连续电流：
0.15 A
功率耗散：
1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe
最大工作温度：
+ 150 C
封装/箱体：
SOT-223
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多UPA801T供应商更新时间2025-5-2 14:00:00

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