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UPA800T-T1分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

UPA800T-T1
厂商型号

UPA800T-T1

参数属性

UPA800T-T1 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ 6SO

功能描述

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

211.33 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-15 23:00:00

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UPA800T-T1规格书详情

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR (WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS) MINI MOLD

The µPA800T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band.

FEATURES

• Low Noise

NF = 1.9 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA

• High Gain

|S21e|2 = 6.5 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 3 mA

• A Mini Mold Package Adopted

• Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4228)

产品属性

  • 产品编号:

    UPA800T-T1

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    8GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 5mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    35mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    6-SO

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ 6SO

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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