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UPA801T分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

UPA801T
厂商型号

UPA801T

参数属性

UPA801T 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363

功能描述

NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 x 2SC5006 FLAT-LEAD 6-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLD

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

76.04 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-24 17:10:00

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UPA801T规格书详情

DESCRIPTION

The µPA801TC has built-in low-voltage two transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band.

FEATURES

• Low noise: NF = 1.2 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA

• High gain: |S21e|2 = 9.0 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA

• Flat-lead 6-pin thin-type ultra super minimold package

• Built-in 2 transistors (2 × 2SC5006)

产品属性

  • 产品编号:

    UPA801T-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    4.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.2dB @ 1GHz

  • 增益:

    9dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 7mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    SOT-363

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
23+
SOT-363
63000
原装正品现货
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