首页>UPA801T-T1>规格书详情

UPA801T-T1中文资料PDF规格书

UPA801T-T1
厂商型号

UPA801T-T1

参数属性

UPA801T-T1 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363

功能描述

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

文件大小

217.64 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

更新时间

2024-5-14 22:30:00

UPA801T-T1规格书详情

The µPA801T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band.

FEATURES

• Low Noise NF = 1.2 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA

• High Gain |S21e|2 = 9.0 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA

• A Mini Mold Package Adopted

• Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4226)

产品属性

  • 产品编号:

    UPA801T-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    4.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.2dB @ 1GHz

  • 增益:

    9dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 7mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    100mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    SOT-363

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC/REN
2020+
SOT-363
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
询价
NEC
12+09+
SOT363
21996
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
NEC/RENESAS
22+21+
SOT-363
3000
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
询价
NEC ELECTRONICS
2023+
SMD
4051
安罗世纪电子只做原装正品货
询价
NEC
22+
SOT363
600000
航宇科工半导体-央企优秀战略合作伙伴!
询价
NEC
97+
SOT-363
880000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
NEC
23+
NA/
6250
原厂直销,现货供应,账期支持!
询价
NEC
2020+
SOT-363
350000
100%进口原装正品公司现货库存
询价
NEC
2023+
SOT23
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
询价
RICHTEK
2022+
QFN
6000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
询价