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UPA801T-T1	文件：217.64 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR The µPA801T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band. FEATURES • Low Noise NF = 1.2 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA • High Gain \|S21e\|2 = 9.0 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA • A Mini Mold Package Adopted 文件：217.64 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
UPA801T-T1-A	文件：177.04 Kbytes Page：8 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY 文件：177.04 Kbytes 页数：8 Pages	CEL	CEL
UPA801T-T1-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装：托盘类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363	CEL	CEL
UPA810T-T1	文件：0 bytes Page：0 Pages	NEC SOT363	NEC 瑞萨上传：深圳市吉利鑫科技发展有限公司	NEC
UPA810T-T1-A	文件：0 bytes Page：0 Pages	RENESAS SOD363	RENESAS 瑞萨上传：深圳市正纳电子有限公司	RENESAS

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更多UPA801T-T1供应商更新时间2025-10-13 17:23:00