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UPA802T-T1-A	文件：236.48 Kbytes Page：10 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA802T-T1-A	文件：606.19 Kbytes Page：9 Pages	NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA802T-T1-A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363	CEL California Eastern Labs	CEL
UPA802T-T1	文件：216.28 Kbytes Page：8 Pages	HIGH-FREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR TheµPA802Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •LowNoiseNF=1.4dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •HighGain\|S21e\|2=12dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •AMiniMoldPackageAdopted	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA802T-T1	文件：53.04 Kbytes Page：6 Pages	HIGH-FREQUENCYLOWNOISEAMPLIFIERNPNSILICONEPITAXIALTRANSISTORWITHBUILT-IN2ELEMENTSMINIMOLD TheµPA802Thasbuilt-in2low-voltagetransistorswhicharedesignedtoamplifylownoiseintheVHFbandtotheUHFband. FEATURES •LowNoiseNF=1.4dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •HighGain\|S21e\|2=12dBTYP.@f=1GHz,VCE=3V,IC=7mA •AMiniMoldPackageAdopted	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

产品属性

产品编号：
UPA802T-T1-A
制造商：
CEL
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
2 NPN（双）
电压 - 集射极击穿（最大值）：
10V
频率 - 跃迁：
7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.4dB @ 1GHz
增益：
12dB
功率 - 最大值：
200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 7mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
65mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：
SOT-363
描述：
RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363

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