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UPA802T-T1分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

UPA802T-T1
厂商型号

UPA802T-T1

参数属性

UPA802T-T1 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363

功能描述

HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

53.04 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-4 17:19:00

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UPA802T-T1规格书详情

The µPA802T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band.

FEATURES

• Low Noise NF = 1.4 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA

• High Gain |S21e|2 = 12 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA

• A Mini Mold Package Adopted

• Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4227)

产品属性

  • 产品编号:

    UPA802T-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    10V

  • 频率 - 跃迁:

    7GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.4dB @ 1GHz

  • 增益:

    12dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 7mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    65mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    SOT-363

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363

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