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UPA802T-T1分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
UPA802T-T1 |
参数属性 | UPA802T-T1 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363 |
功能描述 | HIGH-FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD |
封装外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
文件大小 |
53.04 Kbytes |
页面数量 |
6 页 |
生产厂商 | Renesas Electronics America |
企业简称 |
NEC【瑞萨】 |
中文名称 | 日本瑞萨电子株式会社官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-4 17:19:00 |
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UPA802T-T1规格书详情
The µPA802T has built-in 2 low-voltage transistors which are designed to amplify low noise in the VHF band to the UHF band.
FEATURES
• Low Noise NF = 1.4 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA
• High Gain |S21e|2 = 12 dB TYP. @ f = 1 GHz, VCE = 3 V, IC = 7 mA
• A Mini Mold Package Adopted
• Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4227)
产品属性
- 产品编号:
UPA802T-T1-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
2 NPN(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
10V
- 频率 - 跃迁:
7GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.4dB @ 1GHz
- 增益:
12dB
- 功率 - 最大值:
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
70 @ 7mA,3V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
65mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:
SOT-363
- 描述:
RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEC |
1822+ |
SOT-363 |
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NEC |
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SOT-363 / SOT-323-6 |
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NEC |
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NEC |
24+ |
SOT-363/SOT-323-6 |
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NEC |
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