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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
UPA806T-T1-A | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件:191.56 Kbytes 页数:10 Pages | CEL | CEL | |
UPA806T-T1-A | NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR 文件:502.21 Kbytes 页数:9 Pages | CEL | CEL | |
UPA806T-T1-A | Package:6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ SOT363 | CEL | CEL | |
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR FEATURES • Low Noise, High Gain • Operable at Low Voltage • Small Feed-back Capacitance Cre = 0.4 pF TYP. • Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4959) 文件:209.12 Kbytes 页数:8 Pages | RENESAS 瑞萨 | RENESAS | ||
MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD FEATURES • Low Noise, High Gain • Operable at Low Voltage • Small Feed-back Capacitance Cre = 0.4 pF TYP. • Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4959) 文件:49.96 Kbytes 页数:6 Pages | NEC 瑞萨 | NEC |
产品属性
- 产品编号:
UPA806T-T1-A
- 制造商:
CEL
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)
- 晶体管类型:
2 NPN(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
6V
- 频率 - 跃迁:
12GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.5dB @ 2GHz
- 增益:
8.5dB
- 功率 - 最大值:
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
75 @ 10mA,3V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
30mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:
SOT-363
- 描述:
RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ SOT363
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SOT-363 |
21247 |
RENESAS/瑞萨原装特价UPA806T-T1-A即刻询购立享优惠#长期有货 |
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原厂正品 |
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NEC |
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SOT363 |
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