首页>UPA806T-T1-A>规格书详情

UPA806T-T1-A分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

UPA806T-T1-A
厂商型号

UPA806T-T1-A

参数属性

UPA806T-T1-A 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ SOT363

功能描述

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR
RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ SOT363

文件大小

191.56 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 California Eastern Laboratories
企业简称

CEL

中文名称

California Eastern Laboratories官网

原厂标识
数据手册

原厂下载下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-18 23:00:00

UPA806T-T1-A规格书详情

UPA806T-T1-A属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。California Eastern Laboratories制造生产的UPA806T-T1-A晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

  • 产品编号:

    UPA806T-T1-A

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    6V

  • 频率 - 跃迁:

    12GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.5dB @ 2GHz

  • 增益:

    8.5dB

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    75 @ 10mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    SOT-363

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ SOT363

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
23+
NA/
7850
原装现货,当天可交货,原型号开票
询价
NEC
23+
SC70-6
20000
原厂原装正品现货
询价
NEC
21+
SC70-6
35200
全新原装现货/假一罚百!
询价
RENESAS
18+
SOT363
26245
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
NEC
2023+
SOT363
700000
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
询价
RENESAS
SOT363
33949
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规
询价
RENESAS
589220
16余年资质 绝对原盒原盘 更多数量
询价
NEC
1742+
SOT363
98215
只要网上有绝对有货!只做原装正品!
询价
RENESAS-瑞萨
24+25+/26+27+
SOT-363
78800
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
询价
原厂正品
23+
SC70-6
5000
原装正品,假一罚十
询价