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UPA806T分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

UPA806T

参数属性

UPA806T 封装/外壳为6-TSSOP,SC-88,SOT-363;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ 6SO

功能描述

MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR WITH BUILT-IN 2 ELEMENTS MINI MOLD

封装外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

文件大小

49.96 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

NEC

中文名称

瑞萨

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数据手册

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更新时间

2025-12-14 12:01:00

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UPA806T规格书详情

FEATURES

• Low Noise, High Gain

• Operable at Low Voltage

• Small Feed-back Capacitance Cre = 0.4 pF TYP.

• Built-in 2 Transistors (2 × 2SC4959)

产品属性

  • 产品编号:

    UPA806T-T1

  • 制造商:

    CEL

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 晶体管类型:

    2 NPN(双)

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    6V

  • 频率 - 跃迁:

    12GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

  • 功率 - 最大值:

    200mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    75 @ 10mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-TSSOP,SC-88,SOT-363

  • 供应商器件封装:

    6-SO

  • 描述:

    RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ 6SO

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
24+
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