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TPCF8104	文件：228.23 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOS??	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8104	文件：75.21 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBAFIELDEFFECTTRANSISTORSILICONPCHANNELMOSTYPE(U-MOS4) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=21mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=9.6S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(VDS=−30V) •Enhancementmode:Vth=−0.8to−2.0V(VDS=−10V,ID=−1mA	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCS8104	文件：233.5 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonBatteryApplicationsNotebookPCApplicationsPortableEquipmentApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCS8104	文件：378.99 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=8.1mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=23S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(m	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCS8104	文件：248.35 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonBatteryApplicationsNotebookPCApplicationsPortableEquipmentApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TZ-8104	文件：1.10272 Mbytes Page：2 Pages	TZ-8Limitswitch	GREEGOO GREEGOO Electric Co.,Ltd	GREEGOO
UH8104	文件：244.4 Kbytes Page：5 Pages	HALLEFFECTMICROSWITCHIC	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UPC8104	文件：156.29 Kbytes Page：20 Pages	UPCONVERTERQUADRATUREMODULATORICFORDIGITALMOBILECOMMUNICATIONSYSTEMS DESCRIPTION TheµPC8104GRisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasquadraturemodulatorfordigitalmobilecommunicationsystems.Thismodulatorconsistsof1.9GHzup-converterand400MHzquadraturemodulatorwhicharepackagedin20pinSSOP.Thedevicehaspowersavefunction	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8104GR	文件：214.57 Kbytes Page：5 Pages	UP-CONVERTERWITHAGCFUNCTIONQUADRATUREMODULATORICFORDIGITALMOBILECOMMUNICATIONSYSTEMS DESCRIPTION TheUPC8125GRisaSiliconMMICmanufacturedwiththeNESATIIITMsiliconbipolarprocess.TheICconsistsofa1.8-2.0GHzupconverterwithAGCfunctionanda220-270MHzIQmodulator.Thedeviceoperatesoverawide2.7-5.5Vsupplyvoltagerangeandfeaturesapowersavefunc	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8104GR	文件：248.64 Kbytes Page：28 Pages	1GHzDIRECTQUADRATUREMODULATORFORDIGITALMOBILECOMMUNICATION DESCRIPTION TheµPC8110GRisasilliconmonolithicintegratedcircuitdesignedas1GHzdirectquadraturemodulatorfordigitalmobilecommunicationsystems.Thismodulatorhousedina20pinplasticSSOPthateasytoinstallandcontributestominiaturizingthesystem. Thedevicehaspowersave	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
TPCC8104LQ(O
功能描述：
MOSFET P-Ch -30V FET 27W -20A 2260pF 58nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多TPCC8104LQ(O供应商更新时间2025-6-25 11:00:00

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