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TPCM8102	文件：223.27 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOS?? LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=6.0mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=44S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8102	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8102	文件：238.24 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOS?? NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=13.5mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=24S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-20V) •Enhancement	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCS8102	文件：392.75 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonBatteryApplicationsPortableEquipmentApplicationsNotebookPCs	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCS8102	文件：783.27 Kbytes Page：7 Pages	Lithium-IonBatteryApplicationsPortableEquipmentApplicationsNotebookPCApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
UH8102	文件：138.74 Kbytes Page：7 Pages	LOWPOWERHALLEFFECTSWITCH	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UPC8102	文件：147.02 Kbytes Page：20 Pages	RFAMPLIFIERICFOR150MHzTO330MHzPAGERSYSTEM DESCRIPTION µPC8102TisasiliconmonolisicintegratedcircuitdesignedasRFamplifierfor150MHzto330MHzpagersystem.Dueto1Vsupplyvoltage,thisICissuitableforlowvoltagepagersystem.Thepackageisa6pinminimoldsuitableforhigh-densitysurfacemounting. ThisICismanufa	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8102T	文件：147.02 Kbytes Page：20 Pages	RFAMPLIFIERICFOR150MHzTO330MHzPAGERSYSTEM DESCRIPTION µPC8102TisasiliconmonolisicintegratedcircuitdesignedasRFamplifierfor150MHzto330MHzpagersystem.Dueto1Vsupplyvoltage,thisICissuitableforlowvoltagepagersystem.Thepackageisa6pinminimoldsuitableforhigh-densitysurfacemounting. ThisICismanufa	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8102T	文件：265.63 Kbytes Page：22 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •1Vsupplyvoltage:VCC=0.9Vto2.0V •Lownoisefigure:2.3dBTYP.@fin=150MHz(withexternalmatchingcircuittooptimizeNF) •Lowcurrentconsumption:ICC=0.5mATYP.@VCC=1.0V •Gainavailablefrequency:fRF=150MHzto330MHz(withexternalmatchingcircuit) •	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
VB8102M	文件：827.98 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel100-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
TPCF8102(TE85L,F)
功能描述：
MOSFET PW TR P-Ch -20V -6A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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