选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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TOSHIBA/东芝SSOP-8 |
4000 |
23+ |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
留言
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TOSHIBASSOP-8 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
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TOSHIBASOT23-8 |
58895 |
2017+ |
深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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TOSHIBASSOP-8 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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TOSHIBA/东芝SSOP-8 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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TOSHIBA/东芝SOT23-8 |
30000 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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TOSHIBA东芝SSOP-8 |
12067 |
22+21+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
36500 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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TOSHIBASSOP-8 |
4000 |
03+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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TOSHIBA/东芝NA/ |
7250 |
23+ |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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TOSHIBASSOP-8 |
8000 |
11+ |
全新原装,绝对正品现货供应 |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
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TOSHIBASSOP-8 |
4100 |
03+ |
全新原装 实单必成 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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TOSHIBASSOP-8 |
4000 |
03+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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TOSHIBASOT23-8 |
8529 |
1738+ |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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ToshibaMOSFET |
6680 |
23+ |
全新原装优势 |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
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TOSHIBASOT23-8 |
58895 |
2017+ |
深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增 |
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TPCF8103图片
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更多TPCF8103制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(U-MOS III)
TPCF8103(TE85L)制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET P-CH 20V 2.7A 6PIN VS - Tape and Reel 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
TPCF8103(TE85L,F)功能描述:MOSFET PW TR P-Ch -20V -5.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
TPCF8103(TE85L,F,M功能描述:MOSFET P-ch -20V -2.7A VS-8 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
TPCF8103_07制造商:TOSHIBA 制造商全称:Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(U-MOS III)