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TPC8127	文件：222.18 Kbytes Page：7 Pages	Silicon P Channel MOS Type (U-MOS?? LithiumIonBatteryApplications PowerManagementSwitchApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=5mΩ(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(VDS=−30V) •Enhancementmode:Vth=−0.8to−2.0V(VDS=−10	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8127	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8127	文件：992.21 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AM8127	文件：542.57 Kbytes Page：11 Pages	AM8127ClockGenerator	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
AM8127DC	文件：542.57 Kbytes Page：11 Pages	AM8127ClockGenerator	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
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详细参数

型号：
TPC8127
功能描述：
MOSFET P-CH MOSFET -30V DC -13A -10uA 5mOhm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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