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TPC8402	文件：719.84 Kbytes Page：11 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (MOSVI/U-MOSII) Lithium Ion Secondary Battery Applications Notebook PCs Portable Equipment Applications ● Low drain−source ON resistance : P Channel RDS (ON) = 27 mΩ (typ.) N Channel RDS (ON) = 37 mΩ (typ.) ● High forward transfer admittance : P Channel \|Yfs\| = 7 S (typ.) N Channel \|Yfs\| = 文件：719.84 Kbytes 页数：11 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPC8402	文件：300 bytes Page：1 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (MOSVI/U-MOSII)	Toshiba 东芝	Toshiba
TPCF8402	文件：274.64 Kbytes Page：11 Pages	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P, N Channel MOS Type (U-MOS IV / U-MOS III) Portable Equipment Applications Motor Drive Applications DC-DC Converter Applications • Low drain-source ON resistance : P Channel RDS (ON) = 60 mΩ (typ.) N Channel RDS (ON) = 38 mΩ (typ.) • High forward transfer admittance : P Channel 文件：274.64 Kbytes 页数：11 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPCF8402	文件：320.35 Kbytes Page：11 Pages	Field Effect Transistor Silicon P, N Channel MOS Type (U-MOS IV / U-MOS III) 文件：320.35 Kbytes 页数：11 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPCF8402	文件：319.89 Kbytes Page：11 Pages	Portable Equipment Applications Motor Drive Applications DC-DC Converter Applications 文件：319.89 Kbytes 页数：11 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

型号：
TPC8402
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type(MOSVI/U−MOSII)

更多TPC8402供应商更新时间2026-1-26 11:04:00