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8A01	文件：90.02 Kbytes Page：3 Pages	AxialGeneralPurposePlasticRectifier FEATURES ·Lowcoatconstruction ·Lowforwardvoltagedrop ·Lowreverseleakage ·Highforwardsurgecurrentcapability ·Hightemperaturesolderingguaranteed: 260℃/10secods/.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FR8A01F-G	文件：47.91 Kbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedFastRecoveryRectifier VoltageRange50to1000VCurrent8.0Ampere Features Lowforwardvoltagedrop Fastswitchingforhighefficiency Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability *Lowreverseleakagecurrent	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
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TPC8A01	文件：460.65 Kbytes Page：12 Pages	DC-DCCONVERTERNotebookPCPortableMachinesandTools	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPC8A01	文件：340.33 Kbytes Page：5 Pages	FIELDEFFECTTRANSISTORSILICONNCHANNELMOSTYPE Q1:TOSHIBAFIELDEFFECTTRANSISTORSILICONNCHANNELMOSTYPE(U－MOSⅢ) Q2:TOSHIBAINCLUDESSCHOTTKYBARRIERDIODEFIELDEFFECTTRANSISTORSILICON NCHANNELMOSTYPE(U－MOSⅢ) DC-DCCONVERTER NotebookPC PortableMachinesandTools •IncludesSchottkyBarrierDiodeType.(Q2) LowForward	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCA8A01-H	文件：1.11269 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPCA8A01-H	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCF8A01	文件：1.10726 Mbytes Page：8 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPCF8A01	文件：329.96 Kbytes Page：9 Pages	NotebookPCApplicationsPortableEquipmentApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
UF8A01	文件：950.52 Kbytes Page：2 Pages	GlassPassivatedUltraFastRecoveryRectifier	YENYOYenyo Technology Co., Ltd. 元耀科技元耀科技股份有限公司	YENYO
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详细参数

型号：
TPC8A01(TE12L,Q)
功能描述：
MOSFET PW TR with SBD 30v 8.6A 1.5W 11mOhms
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TPC8A01(TE12L,Q)供应商更新时间2024-5-16 15:23:00

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