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TPC8109	文件：240.27 Kbytes Page：4 Pages	FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=14mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=19S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10µA(ma	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8109	文件：248.5 Kbytes Page：7 Pages	Lithium Ion Battery Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8109_06	文件：248.5 Kbytes Page：7 Pages	Lithium Ion Battery Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCA8109	文件：238.62 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPChannelMOSType(U-MOS??	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCA8109	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
UPC8109T	文件：112.58 Kbytes Page：4 Pages	3V,SILICONMMICFREQUENCYUP-CONVERTER DESCRIPTION TheUPC8106TandUPC8109TareL-BandFrequencyUpConvertersmanufacturedusingtheNESATIIIMMICprocess.TheUPC8106TwasdesignedforlowdistortionwhiletheUPC8109Twasdesignedforlowcurrentconsumption.Operationfroma3voltsupplyvoltagemakesthisdeviceidealforhandh	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8109TB	文件：419.18 Kbytes Page：34 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Highoutputfrequency:fRFout=0.8to2.5GHz •High-densitysurfacemounting:6-pinsuperminimoldpackage •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •HigherIP3:OIP3=+10dBm@fRFout=1.9GHz	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC8109TB	文件：121.05 Kbytes Page：8 Pages	SILICONRFICHI-IP3FREQUENCYUP-CONVERTERFORWIRELESSTRANSCEIVER	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8109TB	文件：133.76 Kbytes Page：16 Pages	SILICONMMIC2.0GHzFREQUENCYUP-CONVERTERFORCELLULARTELEPHONE DESCRIPTION TheµPC8163TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasfrequencyup-converterforcellulartelephonetransmitterstage.TheµPC8163TBhasimprovedintermodulationperformanceandsmallerpackage. TheµPC8163TBismanufacturedusingNEC’s20GHzfTNESATTMlllsiliconbip	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8109TB	文件：185.13 Kbytes Page：24 Pages	SILICONMMIC2.0GHzFREQUENCYUP-CONVERTERFORCELLULAR/CORDLESSTELEPHONES DESCRIPTION TheµPC8106TBandµPC8109TBaresiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasfrequencyup-converterforcellular/cordlesstelephonetransmitterstage.TheµPC8106TBfeaturesimprovedintermodulationandµPC8109TBfeatureslowcurrentconsumption.Fromthesetwoversion,youcanc	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
TPC8109
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE

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