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TPC8112	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (P-ch single); Drain current ID -13 A \nPower Dissipation PD 1.9 W \nDrain-Source voltage VDSS -30 V \n; Application Scope：Mobile equipments / Notebook PCs\nPolarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅢ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\n	ToshibaToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	Toshiba
TPC8112	文件：258.22 Kbytes Page：4 Pages	Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type(U-MOS III) LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=5.0mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=31S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDS	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8112	文件：281 Kbytes Page：7 Pages	Lithium Ion Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8112_06	文件：281 Kbytes Page：7 Pages	Lithium Ion Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TZ-8112	文件：1.10272 Mbytes Page：2 Pages	TZ-8Limitswitch	GREEGOO GREEGOO Electric Co.,Ltd	GREEGOO
UC-8112-LX	文件：1.93887 Mbytes Page：6 Pages	ArmCortex-A8300MHz/600MHz/1GHzIIoTgateway	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
UC-8112-LX	文件：1.25154 Mbytes Page：6 Pages	ArmCortex-A8300MHz/600MHz/1GHzIIoTgateway	moxaMOXA 台湾摩莎摩莎科技（上海）有限公司	moxa
UPC8112T	文件：125.76 Kbytes Page：5 Pages	SILICONMMIC1stFREQUENCYDOWN-CONVERTERFORCELLULAR/CORDLESSTELEPHONE DESCRIPTION TheµPC8112TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedas1stfrequencydown-converterforcellular/cordlesstelephonereceiverstage.ThisICconsistsofmixerandlocalamplifier.TheµPC8112TBfeatureshighimpedanceoutputofopencollector.SimilarICsoftheµPC2757TB	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8112TB	文件：273.59 Kbytes Page：22 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •ExcellentRFperformance:IIP3=–7dBm@fRFin=1.9GHz(reference) IM3=–88dBm@PRFin=–38dBm,1.9GHz(reference) •SimilarconversiongaintomPC2757andlowernoisefigurethanmPC2758 •Minimizedcarrierleakage:RFLO=–80dB@fRFin=900MHz(reference) RFLO=–55dB@fRF	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC8112TB	文件：125.76 Kbytes Page：5 Pages	SILICONMMIC1stFREQUENCYDOWN-CONVERTERFORCELLULAR/CORDLESSTELEPHONE DESCRIPTION TheµPC8112TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedas1stfrequencydown-converterforcellular/cordlesstelephonereceiverstage.ThisICconsistsofmixerandlocalamplifier.TheµPC8112TBfeatureshighimpedanceoutputofopencollector.SimilarICsoftheµPC2757TB	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

技术参数

Product Category：
Power MOSFET (P-ch single)
Package name(Toshiba)：
SOP-8
Recommended Product 1：
TPCA8109(Almost same characteristics but different package)
Recommended Product 2：
TPC8125(Almost same package but similar characteristics)

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