TP65H050G4YS数据手册Renesas中文资料规格书

描述 Description

TP65H050G4YS 650V 50mΩ 氮化镓 （GaN） FET 是使用瑞萨电子第四代平台构建的常闭器件。 它结合了最先进的高压 GaN HEMT 和低压硅 MOSFET 技术，提供卓越的可靠性和性能。

瑞萨电子 GaN 通过更低的栅极电荷、更低的交越损耗和更小的反向恢复电荷，提供比硅更高的效率。

TP65H050G4YS采用行业标准的 TO-247-4 封装，具有 Kelvin 源极和通用源极封装配置。

特性 Features

• 第四代技术
• 符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
• 动态 RDS（on）eff 生产测试
• 坚固的设计，定义
• 宽栅极安全裕度
• 瞬态过压能力

• 非常低的 QRR
• 减少分频损耗
• 符合 RoHS 标准和无卤素包装
• 在硬开关和软开关电路中实现更高的效率
• 提高功率密度
• 减小系统尺寸和重量
• 总体降低系统成本

• 使用常用的栅极驱动器轻松驱动
• 用于提高性能的 Kelvin 源
• 采用 Si 和 SiC TO-247-4 的引脚对引脚插入式封装（注意：公端是源极与漏极）

应用 Application

• 数据通信
• 博大实业
• 光伏逆变器
• 伺服电机