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TP65H035G4WS中文资料采用 TO-247 封装的 650V 35mΩ 氮化镓GaN FET (SuperGaN®)数据手册Transphorm规格书
TP65H035G4WS规格书详情
描述 Description
TP65H035G4WS 650V 35mΩ 氮化镓 (GaN) FET 属于常闭型器件。Transphorm 氮化镓GaN FET通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷，提供更高的效率，明显超越传统硅 (Si) 器件，具有显著优势。TP65H035G4WS 经由共源极封装配置封装在行业标准的 3 引线 TO-247 内发售。
特性 Features
• 易于驱动 – 与标准栅极驱动器兼容
• 低传导、低开关损耗
• 低 Qrr (150nC) – 无需任何续流二极管
• GSD 引脚布局可提升高速设计
• 通过 JEDEC 认证的 氮化镓GaN技术
• 符合限制有害物质指令 (RoHS) 规范要求且不含卤素
• 实现更高效的拓扑 – 易于实施无桥图腾柱设计
• 快速切换，提高效率
• 提高功率密度
• 系统尺寸减小、重量减轻
• BOM 成本更低
技术参数
- 制造商编号
：TP65H035G4WS
- 生产厂家
：Transphorm
- Rds(on)eff (mΩ) typ
：35
- Rds(on)eff (mΩ) max
：41
- Id (25°C) (A) max
：46.5
- Package
：TO-247
- Package Variation
：Source
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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