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TP65H035G4WS中文资料采用 TO-247 封装的 650V 35mΩ 氮化镓GaN FET (SuperGaN®)数据手册Transphorm规格书

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厂商型号

TP65H035G4WS

功能描述

采用 TO-247 封装的 650V 35mΩ 氮化镓GaN FET (SuperGaN®)

制造商

Transphorm Transphorm Inc

数据手册

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更新时间

2025-9-23 10:33:00

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TP65H035G4WS规格书详情

描述 Description

TP65H035G4WS 650V 35mΩ 氮化镓 (GaN) FET 属于常闭型器件。Transphorm 氮化镓GaN FET通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率,明显超越传统硅 (Si) 器件,具有显著优势。TP65H035G4WS 经由共源极封装配置封装在行业标准的 3 引线 TO-247 内发售。

特性 Features

• 易于驱动 – 与标准栅极驱动器兼容
• 低传导、低开关损耗
• 低 Qrr (150nC) – 无需任何续流二极管
• GSD 引脚布局可提升高速设计
• 通过 JEDEC 认证的 氮化镓GaN技术
• 符合限制有害物质指令 (RoHS) 规范要求且不含卤素
• 实现更高效的拓扑 – 易于实施无桥图腾柱设计
• 快速切换,提高效率
• 提高功率密度
• 系统尺寸减小、重量减轻
• BOM 成本更低

技术参数

  • 制造商编号

    :TP65H035G4WS

  • 生产厂家

    :Transphorm

  • Rds(on)eff (mΩ) typ

    :35

  • Rds(on)eff (mΩ) max

    :41

  • Id (25°C) (A) max

    :46.5

  • Package

    :TO-247

  • Package Variation

    :Source

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